Samsung 850 EVO Basic MZ-75E4T0B/EU - 4 TB (7 mm Bauhöhe, MLC) - Perfekt für Multimedia, Gaming & Videoschnitt - TurboWrite-Technologie, RAPID-Modus - Maximale Lese-/Schreibgeschwindigkeit: 540 MB/s / 520 MB/s (MZ-75E4T0B/EU)

Beschreibung Samsung 850 EVO MZ-75E4T0B/EU (MZ-75E4T0B/EU) Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie? Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht. Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie. Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 Prozent höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen